碳化硅（SiC）是一种第三代半导体资料，具有高硬度、高热导率、高电子迁移率及化学稳定性等优异功能，大范围的运用于新动力轿车、光伏逆变器、5G通讯、航空航天、工业电源等范畴。本项目旨在建造一条年产XX吨高纯度碳化硅资料出产线，配套研制中心及查验测验渠道，满意高端制造业对高功能碳化硅的需求。项目包括碳化硅粉末制备、单晶成长、外延片加工及器材封装等全工业链环节，产品定位为6英寸/8英寸导电型及半绝缘型碳化硅衬底，方针商场为新动力轿车电驱体系、光伏逆变器功率模块及5G基站射频器材。

　　：依据Yole Développement数据，2023年全球碳化硅器材商场规划达22亿美元，估计2029年将打破100亿美元，年复合增长率（CAGR）达26%。

　　：新动力轿车（占比超60%）和光伏储能（占比约20%）是首要增长点。特斯拉、比亚迪等车企加快碳化硅功率模块代替IGBT，光伏逆变器中碳化硅器材浸透率已超30%。

　　：我国“十四五”规划清晰将碳化硅列为要点开展的第三代半导体资料，欧盟、美国亦经过补助推动本乡工业链建造。

　　：到2023年末，国内已投产6英寸碳化硅衬底产能超50万片/年，规划中的8英寸产能达30万片/年。头部企业如天岳先进、天科合达、三安光电等占有首要商场份额。

　　：国内企业已完成6英寸衬底良率超70%，8英寸衬底进入小批量出产阶段，但高端外延片及器材封装仍依靠进口。

　　：世界巨子Wolfspeed、II-VI占有高端商场，国内企业经过本钱优势和快速呼应抢占中低端商场，价格较进口产品低20%-30%。

　　：2023年国内碳化硅器材自给率缺乏40%，高端衬底及外延片国产化率仅15%，存在巨大代替空间。

　　：5G基站、数据中心电源、氢能燃料电池等新式运用场景对碳化硅需求快速增长。

　　：建造年产XX吨高纯度碳化硅粉末出产线英寸碳化硅衬底出产线及外延片加工线。

　　：用于高纯度碳化硅单晶成长，经过优化热场规划及晶体缺点操控技能，提高良率至75%以上。

　　：用于外延片成长，完成低缺点密度（10³ cm⁻²）及高均匀性（厚度误差2%）。

　　：引进MES体系、AGV物流及AI视觉检测设备，完成全流程自动化及数字化办理。

　　：XX亿元，其间设备购置费占比45%（高纯度碳化硅组成炉、单晶炉、CVD外延设备等），研制费用占比15%，修建工程费占比20%。

　　国内企业已把握6英寸碳化硅衬底核心技能，8英寸衬底技能进入验证阶段，项目技能道路老练牢靠。研制团队由多名海外归国专家及国内高校博士组成，具有继续立异才能。

　　：国内人工、动力本钱较欧美低30%-40%，叠加规划效应，项目达产后衬底本钱较进口产品低25%。

　　：项目达产后年出售的收益XX亿元，净利润率约18%，出资收回期5-6年（含建造期2年）。

　　：推动国内碳化硅工业链完善，削减对进口依靠，提高高端制造业自主可控才能。

　　：项目建成后可直接供给工作岗位300个，直接带动上下游工作超1000人。

　　：选用闭环出产的根本工艺，废气、废水收回利用率超95%，单位产量能耗较传统硅基资料下降40%。

　　本项目契合国家战略新式起的工业开展方向，商场需求旺盛，技能道路老练，经济效益明显，社会效益杰出。主张快速推动项目立项及施行，抢占第三代半导体资料商场先机。

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