研究人员运用硅(100)、(110)和(111)晶面的不同特性对其进行各向异性湿法腐蚀，然后制备出不同的结构，这是半导体工艺中常用的加工方法。

　　单晶硅的晶体结构与金刚石相同，是典型的面心立方晶胞结构，其最小单元是由五个原子构成的一个正四面体。正四面体的每个顶角原子，又为相邻四个四面体所共有，这样由许多个结构最小单元构成单位晶胞。由于晶体的微观各向异性，故硅晶体中不同晶面上原子的散布状况是不相同的。其间，(111)面的原子密度是最大的，(110)面次之，(100)面最小。

　　选用KOH或TMAH对(100)型硅片的各向异性湿法腐蚀，不论掩膜图形简略仍是杂乱，也不论腐蚀进程，终究构成的是(100)面与4个中止面(111)面成54.74°夹角的四棱锥V槽。硅(100)晶面的各向异性湿法腐蚀在MEMS里边是最常见的加工技能，如制备微针、凸台结构和凹槽结构等，成功运用在包含硅压力传感器、加速度计、扫描探针等器材。

　　在MEMS加工里，(110)晶面的运用场景比(100)少许多。这儿以在(110)硅片上制造MEMS光开关为例，经过KOH溶液各向异性腐蚀得到光开关的微反射镜，其质量高于用相同方法在(100)硅片上制造的器材。(110)硅片上难以完成(100)硅片上的V型槽，沿着与微反射镜面成70.53°的方向上，用 KOH 定向腐蚀液在(110)硅片上制造出一列错开的成70.53°的平行四边形蚀坑。这一列并置的平行四边形蚀坑构成了一个锯齿状沟槽，光纤就置于该沟槽内，其方位由沟壁两边的齿尖限制而精确定位。

　　别的，在(110)衬底上能够将掩膜图形与(110)和(100)面交线方向成恰当视点，得到与(110)面笔直的(111)面，运用该腐蚀方法能够取得相似干法刻蚀所制备的深邃宽比的腐蚀槽。

　　用干法刻蚀出必定深度的两条长方形微槽，如下图(a)深域所示，对其进行侧壁维护后再刻蚀献身层，接着进行KOH或TMAH各向异性湿法腐蚀。湿法腐蚀将沿单晶硅片内部横向进行腐蚀，终究腐蚀停止面为(111)面，开释彻底后构成的嵌入式腔体投影如下图(a)中六边形暗影部分所示。下图(b)~(d)分别为开释彻底后的Ａ-Ａ，Ｂ-Ｂ和Ｃ-Ｃ三个截面图。只需合理规划可动结构和优化可动结构晶向排布方法，并对结构能够进行侧壁维护，就能够完成硅片内部选择性横向腐蚀开释可动结构。

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