领域，硅基材料确实无可争议地占据着目前的领导地位，但全球科学家们正积极寻找下一代电子和高功率系统的材料替代方案。有一种材料在这样的领域引起了科学们极大的兴趣，那就是金刚石。没错，就是钻石的原石——金刚石。

　　金刚石作为半导体材料在快速通信、汽车电子以及电力站能量转换等领域具有巨大的潜力。但是，在金刚石要成为下一代半导体材料的发展道路上，踩到了一个“绊脚石”，那就没有成熟的技术能将其切割成我们想要的薄晶圆，无法大规模生产。

　　然而在最近的一项研究中，日本千叶大学的一个研究小组开发了一种新型激光脉冲切割技术，该技术利用激光脉冲，可以沿着最佳的晶体平面，毫不费力地切割金刚石成我们想要的形状。若该技术成熟后能普及，金刚石将有望替代氮化镓和碳化硅，成为具有更高成本效益的下一代半导体材料。

　　金刚石的切割一直是一个具有挑战性的任务，由于其高硬度和脆性，传统的切割方法轻易造成裂纹和损失。

　　从千叶大学发布的消息来看，他们利用激光脉冲将钻石材料转变为非晶态碳，以此来降低了材料的密度并形成裂纹。通过调整激光脉冲的能量和修改区域之间的距离，研究人员能够控制裂纹的深度。

　　通过这种方法，研究人员能够轻松地分离出规则形状的金刚石晶片，为后续的制造工作提供了准备，从而精确地切割出所需厚度的钻石薄片。

　　千叶大学工程研究生院 Hirofumi Hidai 教授表示：“金刚石切片能够以低成本生产出高质量的晶圆，对于制造金刚石半导体器件来说是必不可少的。”

　　对于金刚石半导体器件的制造来说，薄晶片的生产是至关重要的。这种新的切割方法具有低成本和高质量晶圆的优势，有望为金刚石半导体器件的制造带来突破，并为金刚石在半导体行业中的应用开辟更多可能性。

　　在5G通信、新能源汽车以及新兴的AI领域中，由于器件功耗和运行温度的提高，散热问题变得特别的重要。高温会对芯片和其他电子器件的可靠性和常规使用的寿命产生负面影响，甚至有可能影响通讯信号质量和设备稳定性。

　　早在今年年初，日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray 合作开发出了用金刚石制成的功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。

　　金刚石由于其卓越的热导率（2200～2600 W／（m．K）），能快速将热量从热源传导到散热系统，从而有效地降低设备的温度。金刚石的高热导率使其成为理想的散热材料，可以帮助在5G射频芯片、毫米波天线、无线充电、无线传输、IGBT、印刷线路板、AI和物联网等领域解决散热难题。

　　此外，金刚石材料还具备优秀能力的物理特性，如较低的热膨胀系数和高的机械强度，使其在高温环境下具备出色的性能表现。这些特性使得金刚石在高功率半导体芯片的热管理、光学窗口、芯片热沉、半导体和功率器件等领域具有广泛的应用前景。

　　随着半导体技术的持续不断的发展和对材料性能要求的提升，金刚石材料将在更多特定场景中发挥其独特的优势，并为高端先进制造业和消费领域创造更多应用空间。

　　作为半导体材料，金刚石在众多领域的潜力“深不可测”，而这些巨大潜力其实源于金刚石的一些独特特性。

　　金属的热传导主要是通过电子输运来实现的，而金刚石则通过晶格振动来传递热量，这可以用声子流来描述。

　　声子流等于晶格振动频率乘以普朗克常量。由于金刚石结构中碳原子相互紧密结合且是各向同性的，碳原子的振动量子能量较大，也就是振动频率较高，最大值能够达到40×10＾12 Hz。

　　由于金刚石具有高度有序的晶格结构和碳原子之间具有亲密的联系，金刚石有很高的热导率。相比铜而言，金刚石的热导率高出约5倍，相比铝则高出约22倍。在高功率应用中，电子器件往往会产生大量热量，而金刚石的超强热传导能力使其成为理想的散热材料。

　　固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就一定要活得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

　　禁带宽度大，能抗住的场强也就越高，耐压也就越高。同等耐压的器件，PN结就能做到更薄，器件也能更小，又会带来寄生电容小的好处，器件也就能在更高的频率工作。

　　金刚石禁带宽度最高达到5．5eV，远超现有氮化镓、碳化硅等（作为第三代半导体，氮化镓和碳化硅的禁带宽度分别为3．39eV和3．26eV），这是由于其晶体结构的特殊性质造成的。金刚石是由碳原子形成的三维晶格结构，每个碳原子与其邻近的四个碳原子形成了共价键。这种共价键的形成使得金刚石有很坚硬和稳定的结构。因此，碳化硅器件比硅器件更耐温，可以到200℃，而硅只能到150℃，传闻金刚石可以工作在500℃。

　　金刚石的能带间隙指的是价带和导带之间的能量差距。由于金刚石的晶格结构很稳定，碳原子之间的共价键非常牢固，所以能带间隙宽度非常大。这在某种程度上预示着要使金刚石中的电子能从价带跃迁到导带，需要出示非常高的能量。因此，金刚石对于大部分光的能量都是不敏感的，拥有非常良好的绝缘性能。

　　注：在金刚石中，电子处于能量带中。能带是指具有连续能量范围的能级区域。金刚石的能带结构包括价带和导带。价带是指在常温下，由于电子都占据在共价键形成的能级上，因此价带被填满，处于能带带底的状态。导带是指在价带之上的能级区域，没有被电子占据，因此处于能导电的状态。

　　金刚石“飞快”的电子传输移动速度，让硅基材料一直拍马屁也只能不断“吃灰”。

　　金刚石具有高电子饱和漂移速度，这是由于其能带结构、结构稳定性、低杂质浓度和高热导率等特性的综合效应：

　　电子浓度相同的两种半导体材料，在两端施加相同的电压，那个迁移率更大的半导体材料，电阻率越低，通过相同的电流，损耗越小。

　　因为金刚石每个碳原子都与周围的四个碳原子形成非常强的共价键，其晶体结构很稳定。这种强共价键可提供较高的电子迁移率。晶格的稳定性和有序性为电子提供了一个无碰撞或碰撞较少的传输路径，从而使电子能以更快的速度移动。

　　金刚石还具有低杂质浓度，能够更好的降低电子散射的可能性，来提升电子的迁移速度，且先前提到金刚石具有高热导率，这在某种程度上预示着电子在晶格中可以迅速传输热量，同时也表明电子具有较高的迁移率。

　　一般来说，其他常见的半导体材料例如硅基材料，电子饱和漂移速度通常在1×10＾5 cm／s到1×10＾7 cm／s之间。而金刚石的电子饱和漂移速度在1．2×10＾7 cm／s到1．9×10＾7 cm／s之间。也就等于你在百米赛跑遇到“博尔特”，你最快的时候还不如别人的“慢跑”，只能看着背影叹息一句：望尘莫及。

　　在高频电子器件中，电子的快速传输最重要。金刚石的能带结构和晶格结构使电子能够以高速移动，以此来实现快速的电子传输。这对于高频电子器件的工作至关重要，例如高频射频电子器件、微波器件等。

　　高电子饱和漂移速度也使得金刚石在电子传输过程中减少了时延和损耗，来提升了电子器件的性能。其高速的电子传输特性能够很好的满足高频电子信号处理的需求，使金刚石在高频通信、雷达系统、功率放大器等领域具有潜在的应用价值。

　　金刚石的快速电子传输能力使其成为一种理想的半导体材料，能够承担起＂电子速度担当＂的角色，并在高频率下实现快速传递电子信息的重要任务。

　　金刚石还具有高击穿电场和低介电常数等优秀特性。这些特性使得金刚石能够很好的满足现代电子技术对于在高温、高压、高功率、高频率以及抗辐射等恶劣条件下工作的要求。也难怪，金刚石被广泛认可为业界的＂终极半导体材料＂。随着对原材料性能要求的逐步的提升，金刚石的物理特性将为其在特定领域内创造出更多的应用空间。

　　当然，金刚石要真成为新一代半导体材料作用在高端芯片上，不可能是纯原始的金刚石，不然的话，到时候求婚就可以舍弃钻戒而用“芯片”，就可以让对象感动的涕泗横流了。

　　所以，CVD培育钻石应运而生。CVD法合成培育钻石的板状结构具有高纯度，尤其适合合成5克拉以上的大型培育钻石。通过晶圆拼接的方式，能制作出大面积的单晶培育钻石晶圆，这使得培育钻石可当作半导体芯片的衬底，完全解决散热问题，并利用培育钻石的多项卓越物理化学性能。

　　培育钻石的禁带宽度能够达到5．5eV，而且由于其具有高载流子迁移率、大载流子饱和漂移速度和高击穿场强等特性，被认为是制备下一代高功率、高频率、高温和低功率损耗电子器件最有希望的材料。

　　目前，国内已经开发出有关技术，能够得到1到6英寸的单晶培育钻石外延，还可以切割出相应尺寸的培育钻石晶条，还能够沉积出培育钻石同质外延。这为培育钻石的应用提供了更多可能性，并为电子器件的研发和制备提供了重要的材料基础。

　　目前我国头部CVD金刚石厂商目前有中兵红箭、黄河旋风、力量钻石、国机精工、沃尔德、四方达等。在2022年12月7日民生证券发布的的研报中显示，中国人造金刚石产量位居全球第一。 随着先进制造领域中第三代半导体规模化应用孕育新兴需求，工业用金刚石需求旺盛，预计2021－2025年中国人造金刚石产量CAGR达到13％。

　　培育钻石作为一种具有高热导率和优异散热性能的基板材料，在较高温度环境下有着广阔的应用前景，也吸引了慢慢的变多的研究者投身其中。未来，随着材料和器件以及切割技术等方面问题的不断解决，培育钻石作为半导体材料的潜力将逐渐得到充分开发，在电子器件、半导体封装、能源、光电子学等所有的领域中得到普遍应用，也将有可能为实现低功耗、高效能的新一代高端芯片做出重要贡献。

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