近来，日本佐贺大学教授嘉数教授与精细零部件制造商日本Orbray合作开发出了用金刚石制成的功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦（87.5万千瓦）的功率运转。

　　该功率半导体在已有的金刚石半导体中，输出功率值为全球最高，在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。

　　与作为新一代功率半导体的碳化硅(SiC)产品和氮化镓(GaN)产品比较，金刚石半导体耐高电压等功能更超卓，电力损耗被以为可削减到硅制产品的五万分之一，一起耐热性和抗辐射性也很强，因此被称为终极功率半导体”。

　　金刚石带隙宽度高达5.5eV，远超氮化镓、碳化硅等资料，载流子迁移率也是硅资料的3倍，在室温下本征载流子浓度极低，且具有优异的耐高温特点。

　　当时，金刚石在半导体范畴的使用愈来愈遍及，全球各国都在赶紧金刚石在半导体范畴的研制作业，其间日本已成功研制超高纯2英寸金刚石晶圆量产办法，其存储才能相当于10亿张蓝光光盘（约为2500万TB）。

　　全球天然金刚石年产值约为1.5亿克拉，而人工金刚石产值则超越200亿克拉，其间95%产值来自于中国大陆。